專題

這部分包括對於每個學生都必須完成的學期課程專題的描述。

學期專題

學期專題的主題舉例：

鍺化矽的雜質擴散Diffusion of Dopants in SiGe

全矽金屬柵的形成與電特性Fully-silicided metal gate formation and electrical properties

淺連結形成的離子植入雷射退火Laser annealing of ion implants for shallow junction formation

原子層沉積薄膜的CMOS應用Atomic Layer Deposition of thin films for CMOS applications

矽上介電層的進階蝕刻Advanced Etching of Dielectrics on Silicon

選擇性外延生長及其應用Selective-area Epitaxial Growth and its Applications

二階離子質譜Secondary Ion Mass Spectrometry

高K柵介電質的形成與性能Formation and Performance of High-k Gate Dielectrics

薄氧化層的進階晶片清洗技術矽中的金擴散Advanced Wafer Cleaning Techniques for Thin Gate Oxides Gold Diffusion in Silicon

深能階瞬態光譜Deep Level Transient Spectroscopy

矽壽命的測量Lifetime Measurements in Silicon

淺溝道隔離Shallow Trench Isolation

矽中的自擴散Self Diffusion (Si diffusion) in Silicon

TED中碳對矽和鍺化矽的影響 Impact of Carbon on TED in Si and SiGe

2維摻雜分佈的進階技術Advanced Techniques for 2D Dopant Profiling

多晶矽的摻雜擴散和柵損耗效應Dopant Diffusion in Polysilicon and the Gate Depletion Effect

短程絕緣體上矽的製造技術Smart-Cut SOI Fabrication Technique

矽製造的進階吸附作用Advanced Gettering in Silicon Manufacturing

其他(many others)

這個列表包括了一些例子，但並非完整範例。你可以選擇自己的題目，每個題目都必須經過老師的認可。

學期專題中必須研究現代期刊和會議記錄文獻，而不是簡單地從文本上摘取材料（大多數最新的議題都不是書本內容足以涵蓋的）。你可以有一些自己的計算，模擬或分析，（如批判性的想法和解釋），都可以作為學期專題的一部分。僅僅對文獻、文章進行回顧是不夠的。

對於學期專題，你有兩種選擇：寫論文，長度不多於20頁紙；或者在課上做口頭報告，17分鐘加3分鐘的提問時間。如果你選擇口頭報告，必須準備一些講義（報告材料可以由助教安排影印）。

口頭報告必須包括一個幻燈片，顯示標題，大綱，主體和結論摘要。論文必須包括對主題的介紹，主體（適當地分段），和結論部分。口頭報告和論文都必須列出所有的資料來源。