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1

6.774課程介紹

Introduction to 6.774

CMOS 程序流程CMOS Process Flow

第1，2章

2

晶體生長，晶片製造，和矽片的基本性質

Crystal Growth, Wafer Fabrication, and Basic Properties of Si Wafer

指派第1次作業

第3章

3

晶體生長，晶片製造，和矽片的基本性質（續）

Crystal Growth, Wafer Fabrication, and Basic Properties of Si Wafers (cont.)

矽片的清洗和吸附

Wafer Cleaning and Gettering

(RM - 16K)

第3章和第4章的開始

4

矽片的清洗和吸附（續）

Wafer Cleaning and Gettering (cont.)

繳交第1次作業

(RM - 16K)

第4章

5

矽片的清洗和吸附－污染測量技術

Wafer Cleaning and Gettering - Contamination Measurement Techniques

氧化與矽／二氧化矽的介面－氧化與電容電壓測量技術

Oxidation and the Si/SiO2 Interface - Uses of Oxides and CV Measurement Techniques

指派第2次作業

(RM - 16K)

第4章和第6章的開始

6

氧化與矽／二氧化矽的介面：Deal/Grove模型，薄氧化層模型

Oxidation and the Si/SiO2 Interface: Deal/Grove Model, Thin Oxide Models

(RM - 16K)

第6章

7

氧化與矽／二氧化矽的介面：二維效應，摻雜的影響，點缺陷

Oxidation and the Si/SiO2 Interface: 2D Effects, Doping Effects, Point Defects

繳交第2次作業

(RM - 16K)

第6章

8

摻雜的擴散－突變結的需要，費克定律，簡單分析Dopant Diffusion - Need for Abrupt Profiles, Fick's Laws, Simple Analytic

指派第3次作業

(RM - 16K)

第7章

9

摻雜的擴散－擴散的數字技術，電場的影響

Dopant Diffusion - Numerical Techniques in Diffusion, E Field Effec效應

(RM - 16K)

第7章

10

摻雜的擴散－費米能級效應，I和V輔助擴散

Dopant Diffusion - Fermi Level Effects, I and V Assisted Diffusion

(RM - 16K)

第7章

11

摻雜的擴散－複習原子模型，剖面測量技術

Dopant Diffusion - Review Atomic Scale Models, Profile Measurement Techniques

繳交第3次作業

(RM - 16K)

第7章

12

離子注入與退火－分析模型和蒙特卡洛

Ion Implantation and Annealing - Analytic Models and Monte Carlo

(RM - 16K)

第8章

13

離子注入與退火－能量損耗物理，損傷，暫態增強擴散介紹

Ion Implantation and Annealing - Physics of E Loss, Damage, Introduction to TED

指派第4次作業

(RM - 16K)

第8章

14

暫態增強擴散 (TED) －+1模型，(311) 缺陷和TED介紹

Transient Enhanced Diffusion (TED) - +1 Model, (311) Defects and TED Introduction

(RM - 16K)

第8章

15

暫態增強擴散 (TED)－模擬範例，TED計算，反向短通道效應詳述

Transient Enhanced Diffusion (TED) - Simulation Examples, TED Calculations, RSCE in detail

(RM - 16K)

第8章

16

SUPREM IV 程序模擬

The SUPREM IV Process Simulator

繳交第4次作業

(RM - 16K)

17

薄膜沉積與外延生長－化學氣相沉積介紹, 矽的外延生長

Thin Film Deposition and Epitaxy - Introduction to CVD, Si Epitaxial Growth

指派第5次作業

(RM - 16K)

第9章

18

薄膜沉積與外延生長－化學氣相沉積範例與物理沉積

Thin Film Deposition and Epitaxy - CVD Examples and PVD

(RM - 16K)

第9章

19

薄膜沉積與外延生長－沉積形態模型

Thin Film Deposition and Epitaxy - Modeling Topography of Deposition

繳交第5次作業

(RM - 16K)

第9章

20

刻蝕－介紹Etching - Introduction

(RM - 16K)

第10章

21

刻蝕－多柵蝕刻，蝕刻不徹底的殘留物，刻蝕模型Etching - Poly Gate Etching, Stringers, Modeling of Etching

(RM - 16K)

第10章

22

矽化物，元件接觸，新柵材料

Silicides, Device Contacts, Novel Gate Materials

(RM - 16K)

第11章

23

應力下矽／鍺化矽的生長與程序和應力對元件的影響

Growth and Processing of Strained Si/SiGe and Stress Effects on Devices

(RM - 16K)

24－26

報告陳述Report Presentations