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矽奈米晶體的價電子密度計算結果 (圖片來自Zack Helms，量子模擬實驗室，北卡羅來納州立大學。此模擬使用國家超級電腦應用中心的電腦資源。圖片由國家科學基金會影像圖書館所提供。)
Calculated valence electron density of a silicon nanocrystal. (Image courtesy of Zack Helms, Quantum Simulations Laboratory, North Carolina State University. Simulations completed using computational resources provided by the National Center for Supercomputing Applications. Image provided by the National Science Foundation Image Library.)
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課程重點
此網站包含了完整的課程講義以及部分學生的期末專題報告。
This site consists of a complete set of lecture notes and selected student term projects.
課程描述
此門課介紹化合物半導體 (主要為三五族) 在電子、光電、光子元件和整合元件上的物理特性、模型化、應用與技術。主要內容包括：化合物半導體的特性、製備與製程；異質接面、量子結構和假晶應變層的理論與實際應用；金屬半導體接面場效電晶體 (MESFETs)；異質接面場效電晶體 (HFETs) 以及異質接面雙極電晶體 (HBTs)；檢光二極體、垂直和平面共振腔雷射二極體、以及其他光電元件。
This course outlines the physics, modeling, application, and technology of compound semiconductors (primarily III-Vs) in electronic, optoelectronic, and photonic devices and integrated circuits. Topics include: properties, preparation, and processing of compound semiconductors; theory and practice of heterojunctions, quantum structures, and pseudomorphic strained layers; metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs); heterojunction field effect transistors (HFETs) and bipolar transistors (HBTs); photodiodes, vertical-and in-plane-cavity laser diodes, and other optoelectronic devices.
技術需求
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| 師資 |
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講師：
Clifton Fonstad Jr.教授
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| 上課時數 |
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教師授課：
每週2節
每節1.5小時
複習/實習課：
每週1節
每節1小時
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| 程度 |
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研究所
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| 回應 |
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| 聲明 |
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原文聲明 |
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